|
Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
| Υλικό: | Προσανατολισμός <100> Single LaAlO3 Crystal Wafer | Προσανατολισμός: | <100> |
|---|---|---|---|
| Ακρίβεια επαναπροσανατολισμού: | ±0.2° | Εμφάνιση: | Διαφανής σε καφετή |
| Στιλβωτική ουσία επιφάνειας: | 1sp, 2sp | ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ: | Για συσκευή ηλεκτρονίων μικροκυμάτων |
| μέθοδος αύξησης: | Μέθοδος Czochralski | Διηλεκτρική σταθερά: | ~25 |
| Υψηλό φως: | Ενιαία γκοφρέτα LaAlO3,Γκοφρέτα προσανατολισμού LaAlO3,Υπόστρωμα προσανατολισμού LaAlO3 |
||
Ενιαία <100> LaAlO3 γκοφρέτα κρυστάλλου προσανατολισμού
Το LaAlO3 είναι ένα υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγικό υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου. Είναι ένα καλό υλικό υποστρωμάτων για την κρυσταλλική αύξηση των υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγικών λεπτών ταινιών και των γιγαντιαίων μαγνητικών λεπτών ταινιών. Οι διηλεκτρικές ιδιότητές της είναι κατάλληλες για το χαμηλό μικρόκυμα απώλειας και τις διηλεκτρικές εφαρμογές αντήχησης.
Εφαρμογές:
Ηλεκτρονικές συσκευές, κατάλυση, υψηλής θερμοκρασίας κύτταρο καυσίμου, κεραμική, επεξεργασία λυμάτων, υλικά υποστρωμάτων
Κύριες ιδιότητες:
| Σημαντικές παράμετροι | ||
| Δομή κρυστάλλου | M6 (κανονική θερμοκρασία) | Μ3 (>435℃) |
| Σταθερά κυττάρων μονάδων | M6 α = 5,357 Εναλλασσόμενο ρεύμα =13.22 Α | Μ3 a=3.821 Α |
| Σημείο λειωμένων μετάλλων (℃) | 2080 ℃ | |
| Πυκνότητα | 6.52 (g/cm3) | |
| Σκληρότητα | 6-6.5 (mohs) | |
| Θερμική επέκταση | 9.4x10-6/℃ | |
| Διηλεκτρικές σταθερές | ε=21 | |
| Secant απώλεια (10ghz) | ~3×10-4@300k, ~0.6×10-4@77k | |
| Χρώμα και εμφάνιση | Για να ανοπτήσουν και οι όροι διαφέρουν από καφετή σε καφετή | |
| Χημική σταθερότητα | Αδιάλυτος στο ορυκτό οξύ στη θερμοκρασία δωματίου, διαλυτό inH 3PO4στιςθερμοκρασίεςεπάνω από150°C | |
| Χαρακτηριστικά | Για τη συσκευή ηλεκτρονίων μικροκυμάτων | |
| Μέθοδος αύξησης | Μέθοδος Czochralski | |
| Μέγεθος | Μέγεθος κατόπιν αιτήματος, η μεγαλύτερη διάμετρος 3 ίντσες | |
| Ф15, Ф20, Ф1 ″, Ф2 ″, Ф2.6 ″, Ф3″ | ||
| Πάχος | 0.5mm, 1.0mm | |
| Στίλβωση | Ενιαίος ή διπλός | |
| Προσανατολισμός κρυστάλλου | <100> <110> <111> | |
| ακρίβεια επαναπροσανατολισμού | ±0.5° | |
| Επαναπροσανατολισμός η άκρη: | 2° (ειδικός σε 1°) | |
| Γωνία κρυστάλλινου | Το ειδικοί μέγεθος και ο προσανατολισμός είναι διαθέσιμοι κατόπιν αιτήματος | |
| RA: | ≤5Å (5µm×5µm) | |
| Πακέτο |
Κατηγορία 100 καθαρή τσάντα, κατηγορία 1000 καθαρή τσάντα |
|
Η επιχείρησή μας:
Η Co. υλικών κρυστάλλου Crystro Anhui, ΕΠΕ είναι ειδικευμένη στην έρευνα και την ανάπτυξη της επιστήμης και της τεχνολογίας κρυστάλλου, μας
το επιχειρησιακό πεδίο συγκεντρώθηκε κυρίως στην έρευνα και την ανάπτυξη υλικών κρυστάλλου υψηλής τεχνολογίας, την κατασκευή και τις διεπιστημονικές λύσεις. Οι βιομηχανίες υπηρεσιών περιλαμβάνουν: επικοινωνίες, αεροδιάστημα, αυτοκινητικός, ιατρικός, ομορφιά και άλλες βιομηχανίες.
Κύρια πλεονεκτήματα:
Μικρή διηλεκτρική σταθερά χαμηλή διηλεκτρική απώλεια καλό ταίριασμα δικτυωτού πλέγματος μικρός συντελεστής θερμικής επέκτασης καλή χημική σταθερότητα ευρύ ενεργειακό χάσμα μεγάλη συγκεκριμένη επιφάνεια ορισμένη δραστηριότητα καλή θερμική σταθερότητα.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Ms. Wu
Τηλ.:: 86-18405657612
Φαξ: 86-0551-63840588
