|
Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
| Άρθρο: | 10x10x1mm Μεγάλη έξοδος Ce GAGG σπινθηροποίηση μονοκρυστάλλων για γ-ray ανίχνευση | μέγεθος: | 10x10x1 χιλιοστά |
|---|---|---|---|
| Χημικό Formular: | Gd3Al2Ga3O12 | Μέθοδος αύξησης: | Τσότσαραλσκι |
| Ανεκτικότητα μεγέθους: | ± 0,05 mm | Ποιότητα της επιφάνειας: | 10/5 |
| Μαξ Ντία: | D60-76,2 mm | Εφαρμογή: | ΠΕΤ, SPECT, CT.. |
| Επισημαίνω: | Κρυστάλλοι σπινθήρασης ανίχνευσης γ-ακτίνων,Κρυστάλλοι σπινθηροποίησης υψηλής απόδοσης,Γ ανίχνευση ακτινοβολίας |
||
10x10x1mm Μεγάλη έξοδος Ce GAGG Σπιντίλαση Μονό κρύσταλλο Για ανίχνευση γ-ray
Ce: GAGG κρύσταλλο παρουσιάζει σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες, υψηλή θερμική αγωγιμότητα και αντοχή σε σκληρά περιβάλλοντα.υψηλή απόδοση σπινθηροποίησηςΟι κρυστάλλοι GAGG χρησιμοποιούνται ευρέως σε σωλήνες φωτοπολλαπλασιαστή, φωτοηλεκτρικούς μετρητές, οθόνες σπινθηροποίησης και άλλες συσκευές.Και χρησιμοποιείται στην ανίχνευση σωματιδίων υψηλής ενέργειας και σε άλλους τομείς.Λόγω της εξαιρετικής απόδοσης σπινθηροποίησης του κρυστάλλου Ce: YAG, χρησιμοποιείται ευρέως στην αξονική τομογραφία, στο ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης SEM και σε άλλους εξοπλισμούς.Η γραμμική ανταπόκριση των κρυστάλλων GAGG στις ακτίνες γάμμα δείχνει ότι το Ce: Οι κρυστάλλοι GAGG είναι μια πολλά υποσχόμενη τεχνολογία ιατρικής απεικόνισης, όπως η φωτογραφία ακτίνων Χ, η υπολογιστική τομογραφία ακτίνων Χ (CT) και η τομογραφία εκπομπής ποζιτρονίων (PET).Οι μονοκρυσταλλικοί σπινθήρες χρησιμοποιούνται συχνά στην ηλεκτρονική μικροσκόπηση σάρωσης (SEM).
Υψηλή πυκνότητα
Υψηλή απόδοση φωτός
Γρήγορος χρόνος αποσύνθεσης
Χημικά αδρανής
Υψηλή ευαισθησία
Υψηλή ανάλυση ενέργειας
Κύρια πλεονεκτήματα:
Κύρια εφαρμογές:
ανίχνευση ακτίνων γ
Ιατρική απεικόνιση με ακτίνες Χ
Πυρηνική φυσική
Ανίχνευση πυρηνικής ακτινοβολίας
ΠΕΤ
Βασικές ιδιότητες:
| Χημικός τύπος | ΓΔ₃Αλ₂Γκα₃Ο₁₂ |
| Ατομικός αριθμός (αποτελεσματικός) | 54.4 |
| Μέθοδος ανάπτυξης | Τσόκραλσκι |
| Σφιχτότητα | 60,63 g/cm3 |
| Σκληρότητα Mohs | 8 |
| Σημείο τήξης | 1850°C |
| Θερμική επέκταση Coeff. | ΤΒΑ x 10 ̅6 |
Προδιαγραφές
| Τσάμφερ | < 0,2 × 45° |
| ΠροσανατολισμόςΑνεκτικότητα | < 0,5° |
| Δυνατότητα ανοχής πάχους/διάμετρου | ±0,05 mm |
| Καθαρό άνοιγμα | > 90% |
| Διαστρέβλωση κύματος | διαμέρισμα 70 mm |
| Ποιότητα της επιφάνειας | 10/5(Καθαρίστε / σκάψτε) |
| Παράλληλα | 10 ′′ |
| Αριστερά | 5′ |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Ms. Wu
Τηλ.:: 86-18405657612
Φαξ: 86-0551-63840588
