logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
Σπίτι
Σχετικά με εμάς
Προφίλ εταιρείας
Επισκέψεις στο εργοστάσιο
Έλεγχος ποιότητας
προϊόντα

Οπτικά κρύσταλλα γεννητριών

Μονοκρυσταλλικά υποστρώματα

Κρυστάλλοι πιεζοηλεκτρικής επίδρασης

Απομονωτής Φαραδή

Κρυστάλλοι σπινθηροβολίας

Κρυστάλλοι λέιζερ

Κύκλος Q του Pockels

Άλλοι μονοκρυστάλλοι

Κρύσταλλο TGG

Κρύσταλλο TSAG

Κρυστάλλιο GGG

Σφραγίδα LaAlO3

Q Κρυστάλλοι διακόπτη
λύσεις
Ιστολόγιο
Επικοινωνήστε μαζί μας
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
απόσπασμα
Σπίτι
Σχετικά με εμάς
Προφίλ εταιρείας
Επισκέψεις στο εργοστάσιο
Έλεγχος ποιότητας
Γενικές ερωτήσεις
προϊόντα

Οπτικά κρύσταλλα γεννητριών

Μονοκρυσταλλικά υποστρώματα

Κρυστάλλοι πιεζοηλεκτρικής επίδρασης

Απομονωτής Φαραδή

Κρυστάλλοι σπινθηροβολίας

Κρυστάλλοι λέιζερ

Κύκλος Q του Pockels

Άλλοι μονοκρυστάλλοι

Κρύσταλλο TGG

Κρύσταλλο TSAG

Κρυστάλλιο GGG

Σφραγίδα LaAlO3

Q Κρυστάλλοι διακόπτη
λύσεις
Ιστολόγιο
Επικοινωνήστε μαζί μας
απόσπασμα
Καλή τιμή. σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. προϊόντα Created with Pixso.
Κύκλος Q του Pockels
Created with Pixso. LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems
LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems
  • Ονομασία
  • Ονομασία
  • Ονομασία
  • Ονομασία

LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems

Ονομασία μάρκας: Crystro
Αριθμός μοντέλου: PCR-2026-13-01
Χρόνος παράδοσης: 3-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Λεπτομέρειες
Περιγραφή του προϊόντος
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Διάφραγμα, mm:
2,5/5/8/9
Μέγεθος:
55*28*24 χλστ
Μήκος κύματος:
1064 nm
Τύπος ηλεκτροδίου:
Au/Cr
λ/2 Τάση (V@632,8 nm):
400/800
λ/4 Τάση (V@1064 nm):
1800-1900/2100
Απώλεια εισαγωγής:
< 3%
Παραμόρφωση μετώπου κύματος:
< λ/8@632,8 nm
Αναλογία εξάλειψης:
200:1 (Φ1 mm Περιοχή)
Επισημαίνω:

LN Pockels cells for Q-Switch

,

LiNbO3 Pockels cells with AR coating

,

Pockels cells low half wave voltage

Περιγραφή του προϊόντος

LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems

 

LN (LiNbO3) Pockels Cell, is a comprehensive and excellent pockels cell.The device is widely used in optical communication and optical waveguide technology and other fields. It features high electro-optical coefficient, non-hygroscopicity, wide transparency range, and excellent mechanical and physical properties, making it suitable for applications such as electro-optical modulators, modulated resonator wave voltage external laser beams, etc.

 

  Clear aperture Shell Size Half-wave lambda/4 Voltage
CPMLPC-09-1064nm-Q 9mm Dia.30mm x L26mm 2100V λ/4 at 1064nm Electro-optic Q-Switching
CPMLPC-09-1064-Q-S 9mm

Square design

18 x 17 x 20mm		 2100V λ/4 at 1064nm Electro-optic Q-Switching
CPLNPC-090925-3031-1064 9mm Dia.30 x 31mm

1700V λ/4 at 1064nm

Electro-optic Q-Switching
Transmittance >98% Transmission distortion of the crystal λ/6 @ 633nm
Insertion Loss 2% Crystal Flatness λ/8 @ 633nm
Recommended Qswitched Output Energy 100 mJ Extinction Ratio 300:1 - 500:1
Capacitance 5pF Xsurface with Au/Cr electrode  
Damage Threshold 00 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz (LN Q Switch    

 

Lithium niobate crystal is one of the most commonly used materials for Q-switches and phase modulators due to its high electro-optical coefficient, non-hygroscopicity, good transmission up to 4.0 µm, and transverse mode operation.

 

By applying an electric field transverse to the direction of light propagation, the LiNbO3 cell can be configured to operate at a lower voltage than KD*P cells. The LiNbO3 Pockels Cell supports infrared wavelength operation up to 4.0 µm, making it an excellent choice for low-to-medium power solid-state laser (Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG pulsed lasers) applications. Meanwhile, compared with conventional undoped LiNbO3, MgO-doped LiNbO3 has a significantly higher damage threshold.

 

 

Features

High-Speed Modulation Capability
Wide Transmittance Range
Low Driving Voltage
Excellent Physicochemical StabilityLN (LiNbO3) Pockels Cell

 

 

Ετικέτες: 

pockel διακόπτης κυττάρων q  

μαγνητο-οπτικός διαμορφωτής  

pockels διαμορφωτής κυττάρων

Συγγενικά προϊόντα
Η σειρά LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch ενεργό υλικό NLO Βίντεο

Η σειρά LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch ενεργό υλικό NLO

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Σύστημα λέιζερ Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS Βίντεο

Σύστημα λέιζερ Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Καλή τιμή. σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. προϊόντα Created with Pixso.
Κύκλος Q του Pockels
Created with Pixso. LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems
Όλες οι κατηγορίες

Οπτικά κρύσταλλα γεννητριών

Μονοκρυσταλλικά υποστρώματα

Κρυστάλλοι πιεζοηλεκτρικής επίδρασης

Απομονωτής Φαραδή

Κρυστάλλοι σπινθηροβολίας

Κρυστάλλοι λέιζερ

Κύκλος Q του Pockels

Άλλοι μονοκρυστάλλοι

Κρύσταλλο TGG

Κρύσταλλο TSAG

Κρυστάλλιο GGG

Σφραγίδα LaAlO3

Q Κρυστάλλοι διακόπτη
LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems
  • Ονομασία
  • Ονομασία
  • Ονομασία
  • Ονομασία

LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems

Ονομασία μάρκας: Crystro
Αριθμός μοντέλου: PCR-2026-13-01
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Λεπτομέρειες
Περιγραφή του προϊόντος
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Μάρκα:
Crystro
Αριθμό μοντέλου:
PCR-2026-13-01
Διάφραγμα, mm:
2,5/5/8/9
Μέγεθος:
55*28*24 χλστ
Μήκος κύματος:
1064 nm
Τύπος ηλεκτροδίου:
Au/Cr
λ/2 Τάση (V@632,8 nm):
400/800
λ/4 Τάση (V@1064 nm):
1800-1900/2100
Απώλεια εισαγωγής:
< 3%
Παραμόρφωση μετώπου κύματος:
< λ/8@632,8 nm
Αναλογία εξάλειψης:
200:1 (Φ1 mm Περιοχή)
Χρόνος παράδοσης:
3-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Επισημαίνω:

LN Pockels cells for Q-Switch

,

LiNbO3 Pockels cells with AR coating

,

Pockels cells low half wave voltage

Περιγραφή του προϊόντος

LN (LiNbO3) Pockels Cells – High Electro-Optic Coefficient, Low Half Wave Voltage, High Damage Threshold, AR Coated, for Q-Switch, Phase Modulator, Laser Communication & Industrial Laser Systems

 

LN (LiNbO3) Pockels Cell, is a comprehensive and excellent pockels cell.The device is widely used in optical communication and optical waveguide technology and other fields. It features high electro-optical coefficient, non-hygroscopicity, wide transparency range, and excellent mechanical and physical properties, making it suitable for applications such as electro-optical modulators, modulated resonator wave voltage external laser beams, etc.

 

  Clear aperture Shell Size Half-wave lambda/4 Voltage
CPMLPC-09-1064nm-Q 9mm Dia.30mm x L26mm 2100V λ/4 at 1064nm Electro-optic Q-Switching
CPMLPC-09-1064-Q-S 9mm

Square design

18 x 17 x 20mm		 2100V λ/4 at 1064nm Electro-optic Q-Switching
CPLNPC-090925-3031-1064 9mm Dia.30 x 31mm

1700V λ/4 at 1064nm

Electro-optic Q-Switching
Transmittance >98% Transmission distortion of the crystal λ/6 @ 633nm
Insertion Loss 2% Crystal Flatness λ/8 @ 633nm
Recommended Qswitched Output Energy 100 mJ Extinction Ratio 300:1 - 500:1
Capacitance 5pF Xsurface with Au/Cr electrode  
Damage Threshold 00 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz (LN Q Switch    

 

Lithium niobate crystal is one of the most commonly used materials for Q-switches and phase modulators due to its high electro-optical coefficient, non-hygroscopicity, good transmission up to 4.0 µm, and transverse mode operation.

 

By applying an electric field transverse to the direction of light propagation, the LiNbO3 cell can be configured to operate at a lower voltage than KD*P cells. The LiNbO3 Pockels Cell supports infrared wavelength operation up to 4.0 µm, making it an excellent choice for low-to-medium power solid-state laser (Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG pulsed lasers) applications. Meanwhile, compared with conventional undoped LiNbO3, MgO-doped LiNbO3 has a significantly higher damage threshold.

 

 

Features

High-Speed Modulation Capability
Wide Transmittance Range
Low Driving Voltage
Excellent Physicochemical StabilityLN (LiNbO3) Pockels Cell

 

 

Ετικέτες: 

pockel διακόπτης κυττάρων q

μαγνητο-οπτικός διαμορφωτής

pockels διαμορφωτής κυττάρων

Συγγενικά προϊόντα
Η σειρά LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch ενεργό υλικό NLO Βίντεο

Η σειρά LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch ενεργό υλικό NLO

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Σύστημα λέιζερ Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS Βίντεο

Σύστημα λέιζερ Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS

Βρείτε την καλύτερη τιμή
SGS Μονόκρυσταλλα BBO Pockels Κυττάρα Διαβίβαση UV Χαμηλός ακουστικός θόρυβος

SGS Μονόκρυσταλλα BBO Pockels Κυττάρα Διαβίβαση UV Χαμηλός ακουστικός θόρυβος

Βρείτε την καλύτερη τιμή
1064nm Single Crystal BBO NLO Pockels Cell Q Switch για την απορρόφηση κοιλότητας

1064nm Single Crystal BBO NLO Pockels Cell Q Switch για την απορρόφηση κοιλότητας

Βρείτε την καλύτερη τιμή
ROHS BBO Pockels Cell Μη γραμμική οπτική κρύστα

ROHS BBO Pockels Cell Μη γραμμική οπτική κρύστα

Βρείτε την καλύτερη τιμή